H3D10120G
SiC肖特基二极管 型号H3D10120G，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=10A，TO-263-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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SiC肖特基二极管 型号H3D10120G，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=10A，TO-263-2L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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