HWF200N120M3
V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=2.2mΩ，I（ds）=300A ，62.8*56.7*16.1mm封装，主要应用于太阳能逆变器、开关电源（SMPS）、高压 DC/DC 转换器、电池充电器、电机驱动、脉冲功率应用等领域。
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产品描述
产品特点
产品优势
产品应用
产品描述
V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=2.2mΩ，I（ds）=300A ，62.8*56.7*16.1mm封装，主要应用于太阳能逆变器、开关电源（SMPS）、高压 DC/DC 转换器、电池充电器、电机驱动、脉冲功率应用等领域。
产品特点
1
SiC MOSFET
2
高阻断电压与低导通电阻
3
易于并联，驱动简单
4
适用于高温、高湿、高压的工作环境
5
独立铜基板使用Si3N4 AMB技术
产品优势
1
实现紧凑、轻量、高效的系统
2
降低过压保护需求
3
降低热管理要求
4
降低系统成本
应用领域
