SiC mos芯片
SiC mos芯片
GS3M-1200-0018

SiC芯片 型号GS3M-1200-0018A, V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=18mΩ,I(ds)=95A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

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SiC芯片 型号GS3M-1200-0018, V(ds)=1200V,导通电阻R(dson)=18mΩ,I(ds)=95A,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品特点
1
耐高压,低导通电阻
2
高速开关,低电容
3
易于并联,驱动简单
4
符合RoHS标准
产品优势
1
更低损耗
2
更高可靠性
3
更高结温
4
提高系统功率密度
应用领域
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产品选型